SJ 50033.69-1995 半导体分立器件.PIN30系列PIN二极管详细规范
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C0C04299E1844FCABBAC4DC6841F43C6 |
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10 |
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日期: |
2024-7-28 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/69-1995,半导体分立器件,PIN30系列PIN二极管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type PIN 30 series for PIN diode,1995.05丒25发布1995-12.0I 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,PIN30 系列 PIN 二极管 SJ 50033/69-1995,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type PIN 3Q series for PIN diode,范围,1.I 主题内容,本规范规定了 PIN 30系列PIN二极管(以下简称器件)的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范)1 . 3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超,持军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GS 6570— 86微波二极管测试方法,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB128—86 半导体分立器件试验方法,GJB1557-92半导体分立器件微波二极管外形尺寸,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端上电极为铁银钻合金,下电极应为铜,表面涂层应为金,3.2.2 器件结构,中华人民共和国电子工业部!99S-05 25发布 1995-12-01实施,SJ 50033/69-1995,外延台茴、玻璃钝化、多层金属化电极、芯片上引线采用金丝热压煤、下电极与管座烧结,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸按GJB 1557的W14- 01型,见图10,图1外形图,3.3 最大额定值和主要电特性,—2 ~,SJ 50033/69-1995,3.3.1 最大额定值,Vs,(V),p*>,aw),Top,⑹,T*,⑹,800 2 -55725 -65 .175,注」)最大脉冲功率处理能力(典型值),3.3.2主要电特性(Ta = 25匕),い性和,1件,%,型号W,Ir,Vr=800V,(fA),r,/F = 100inA,产 10kHz,(n),Cfet,3 50 V,/EMHz,(pF),%,%= 10mA,ムエ100mA,(㈤,心,f= 100MHz,If = 100mA,(n),Zg,脉宽!0ms,加热电流,0.5A,ヤ/W),J,(pF),し5,(nH),最小值,テ大值,最小值,(,最大值,最小值,最大值,ー最大值,一,:,典型值典型值典型值典型值,P1N301,―" 5 1,0.5 0.7,PIN302 0.7 0.9 一5 2 30 0.36 1.5,PIN303 0.9 1.4,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 6570及本规范的规定,3.5 标志,包装盒上的标志应符合GJB 33的规定。器件上不打标志,极性按图!的规定,4质量保证规定,4.1 抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选(仅对GT和GCT级),筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范,表1极限值的器件应予剔除,筛 选,(见GJB33的表2),试豎方法,GJB 128,方 法,测试和试验,3,热冲击.,7,中间渕试,8,电老化,9.最后测试,1051,1038,除循环20次外,其余同试验条件Fo,见 4.3.1,4rC0.2n,IA3J&初始值的15%,其他参数:按本规范表1的A2分组,-3 -,SJ 50033/69-1995,4.3.1 电老化,Ta = 125じ,ね=50mA,吸=400V,『=50Hz交流,4.4 质量一致性检验,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的加定进行,4.4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行,4.5 检验方法,检验和试验方法应按本规范相应表的规定,表1 A组检验,糙验或试验,GB 6570,LTPD 符号,极限值,单位,方 法条‘件,最小值最大值,A1分组,外观及机械检验,GJB 128,2071,5,A2分组,总电容,PIN301,P1N302,PIN303,反向电流,正向微分电阻,8,2,3.2,8.3,Vr = 50V,方 IMHi,テ 800V,Ip- 100 mA,/=10KHz,5,Cw,Fr,r,0.5,0.7,0.9,0.7,0.9,L4,5,1,pF,jxA,a,A3分组,高温工作,反向电流,低温工作,反向电流,3,2,TA= 125X3,Vr = 800V,TA=-55t,VR = 800V,5,/r,ね,10,1,2,A4,反向恢复时间8.5 If: 10mA,k= 100mA,5,*rr 5 阳,4,下载,SJ 50033/69-1995,表2 B组检验,检险或试验,GJB 128,LTPD,方 法条 件,B2分组,热并击(温度循环),密 封,a.细检漏,瓦粗检漏,最后测试:,1051,1071,试髓条件F-1……
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